Новости

Азиатские заводы по производству фотоэлектрических модулей преодолевают глобальную конкуренцию, производственная мощность к 2020 году достигнет 92%

Aug 04, 2021Оставить сообщение

Мировой рынок фотоэлектрических систем стремительно растет


Глобальный: рынок фотоэлектрической энергетики быстро растет. С 2010 по 2020 год совокупный годовой темп роста совокупной установленной мощности фотоэлектрических станций, включая внесетевые проекты, составит 34%.


В 2020 году на азиатские производители приходилось 95% от общей производственной мощности фотоэлектрических модулей c-Si. Китай (материк) занимает лидирующую позицию с долей 67%. Европа внесла 3% акций; США / Канада дали 2%. В 2020 году доля Европы&# 39 в совокупной установленной мощности фотоэлектрических станций достигла 22%, а в 2019 году - 24%. В отличие от этого, установленная мощность Китая&# 39 составляет 33%.


Сосредоточившись на немецком рынке, в 2020 году на Германию будет приходиться примерно 7,6% (53,6 ГВтп) мировой совокупной установленной фотоэлектрической мощности (707,5 ГВтп), при этом будет установлено около 2 миллионов фотоэлектрических систем. В 2020 году новая установленная мощность Германии&# 39 составит примерно 5 ГВт; в 2019 году - 4 ГВт. В 2020 году фотоэлектрическая энергия покроет 9,2% общего спроса на электроэнергию в Германии, а на все возобновляемые ресурсы будет приходиться около 45%.


Эффективность солнечного элемента / модуля


Эффективность лабораторной батареи составляет 26,7% для монокристаллического кремния и 24,4% для пластин из поликристаллического кремния.


Наивысшая лабораторная эффективность тонкопленочной технологии составляет 23,4% солнечных элементов CIGS (селенид меди, индия, галлия) и 21,0% CdTe (теллурид кадмия). Лабораторная эффективность перовскитовых аккумуляторов составляет 25,5%, что является рекордом.


За последние десять лет средняя эффективность коммерческих модулей кремниевых пластин увеличилась примерно с 15% до 20%. При этом КПД модулей CdTe увеличился с 9% до 19%.


В лаборатории наиболее эффективным компонентом является компонент из монокристаллического кремния с эффективностью 24,4%. Рекордная эффективность показывает, что есть потенциал для дальнейшего повышения эффективности на уровне производства.


В лабораторных условиях КПД по току многопереходных солнечных элементов высокой плотности достигает 47,1%. При использовании концентрационной технологии КПД модуля достиг 38,9%.


Восстановление энергии


За последние 16 лет из-за повышения эффективности, более тонких кремниевых пластин, алмазных канатных пил и больших кремниевых слитков расход материала кремниевых элементов снизился с примерно 16 грамм / Вт до примерно 3 грамм / Вт.


Географическое положение определяет срок окупаемости фотоэлектрической системы. В зависимости от технологии установки и эффективности сети, фотоэлектрической системе в Северной Европе требуется около 1,2 года для уравновешивания входящей энергии, в то время как южная фотоэлектрическая система может уравновесить входную энергию за год или меньше.


В фотоэлектрической системе на Сицилии используются кремниевые модули со сроком окупаемости около одного года и заданным сроком службы 20 лет. Эта система может производить в 20 раз больше энергии, чем требуется для ее производства.


Инвертор


Инвертор самой современной марки имеет КПД 98% и выше.


Ожидается, что доля рынка струнных инверторов составит 64%. Эти инверторы в основном используются в жилых, малых и средних коммерческих фотоэлектрических системах мощностью менее 150 кВт. Централизованные инверторы занимают около 34% рынка и в основном используются в крупных коммерческих и коммунальных системах. Также небольшая часть (около 1%) на рынке принадлежит микроинверторам (для компонентов). Преобразователи постоянного тока в постоянный также называют&"оптимизаторами мощности &", и их доля на рынке оценивается в 5% от всего рынка инверторов.


Тенденции: цифровизация, повторное энергоснабжение, новые функции стабилизации сети и оптимизация для самостоятельного использования; хранилище энергии; использование инновационных полупроводников (SiC или GaN), которые позволяют достичь очень высокого КПД и компактной конструкции; максимальное напряжение струны постоянного тока 1500 В.

与此原文有关的更多信息要查看其他翻译信息,您必须输入相应原文


Отправить запрос